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SiC MOSFET并联模块均流技术研究. 目前,电力电子设备由于智能化电力系统以及能源互联网的发展而引起了人们大量的关注。. 电力电子设备的发展受到功率开关器件的影响,因此功 2015年8月26日 本文对SiCMOSFET这一种新型器件的并联均流情况进行了研究，其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试，并利用此平台随机选取了两块SiCMOSFET分 碳化硅MOSFET并联均流的研究 - 道客巴巴
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2014年10月31日 碳化硅(SiC)材料是一种新型宽禁带半导体材料.本文对SiC MOSFET这一种新型器件的并联均流情况进行了研究,其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试, 全球工业化水平逐步提高,传统电力电子器件受限于材料的自身因素,难以满足日益提升的要求.而以碳化硅为代表的宽禁带材料和碳化硅(SiC)MOSFET为代表的宽禁带半导体器件受到 碳化硅MOSFET并联主动均流的研究 - 百度学术
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2020年12月1日 均流测试与分析利用上面所述搭建的平台，对SiCMOSFET进行了并俩均流测试,包括静态均流和动态均流.同时为了说明碳化硅MOSFET的均流问题,本次研究还对 2021年11月24日 内容提示： 分类号：TN386 单位代码：10058 硕士学位论文 论文题目： 碳化硅 MOSFET 并联主动均流的研究 学科专业： 电气工程 作者姓名： 张永刚 指导教 碳化硅MOSFET并联主动均流的研究 - 道客巴巴
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2024年5月16日 中科院电工研究所基于SiC MOSFET分立器件并联设计了一款可实现良好动静态均流的高功率密度电机控制器，设计了一种新型的电子系统结构，并提出了一种能 摘要：碳化硅（SiC）材料是一种新型宽禁带半导体材料。 本文对SiC MOSFET这一种新型器件的并联均流情况进行了研究，其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试，并 碳化硅MOSFET并联均流的研究 - 百度文库
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2019年6月11日 本发明与现有技术相比，优点在于： 1、保证驱动信号的一致性，防止碳化硅mosfet误开通； 2、保证碳化硅mosfet开通时长一致，从而达到均流； 3、工程实现较 2023年10月8日 本发明涉及一种均流的碳化硅功率模块，包括：基板、若干第一功率芯片、若干第二功率芯片、若干第一功率端子、若干第二功率端子和若干第三功率端子，基板 一种均流的碳化硅功率模块-CN117423672A - 专利顾如 ...
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但是,作为新一代宽禁带半导体器件,碳化硅 (SiC)由于其在高压大功率应用领域的优良特性而受到了广泛关注。在充电桩逆变器等电力设备中使用SiC MOSFET能够显著提高功率密度和设备的效率,本文主要针对SiC MOSFET的并联均流电路进行了研究。本文首先 ...2024年7月3日 受限于工质有限的热容和导热系数，单相对流换热技术的 换热系数 往往较低；相变散热技术充分利用了工质的相变潜热，因此其冷却效率和均温性均显著优于单相对流换热，因此，相变冷却技术是高功率密度碳化硅功率模块冷却的重要发展方向。碳化硅功率模块封装及热管理关键技术 - 亿伟世科技
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2019年6月11日 本发明涉及一种碳化硅开关器件拓扑。背景技术当前广泛使用的开关器件主要是硅基底的MOSFET和IGBT。硅基底MOSFET开关损耗低，但要做到1700V及以上耐压则导通损耗很高，IGBT导通损耗低，但由于尾流则开关损耗很高，一般不能用于很高的开关频率，如10kHz以上。而使用碳化硅基底的MOSFET开关器件，相对 ...摘要： 本文在2007年由吉林白山电厂在东北电网科技部立项"SiC非线性电阻灭磁装置在线监测系统"对灭磁系统进行实测研究.通过介绍该监测系统的功能特征,硬件结构,软件设计,通过在水轮发电机组进行系统实测,结果表明,ESA-2 SiC非线性电阻灭磁装置在线监测系统可以有效地对灭磁装置工作情况进行 ...ESA-1型碳化硅非线性电阻灭磁装置在线监测系统 - 百度学术
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利用上面所述搭建的平台，对SiC MOSFET进行了并俩均流测试，包括静态均流和动态均流。同时为了说明碳化硅MOSFET的均流问题，本次研究还对同等级Si的IGBT进行了测试。2021年12月15日 3.根据权利要求1所述的碳化硅化学气相沉积设备气体混合装置，其特征在于，每片所述扰流片的边缘均间隔设有多个缺口，每片所述扰流片的缺口错位设置，所述扰流片上的缺口在气体流动方向上的投影不重合。一种碳化硅化学气相沉积设备气体混合装置的制作方法
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2021年7月26日 摘要：碳化硅（SiC）材料是一种新型宽禁带半导体材料.本文对SiC MOSFET这一种新型器件的并联均流情况进行了研究,其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试，并利用此平台随机选取了两块SiCMOSFET分别在静态和动态情况下观察了其均流2014年10月31日 摘要： 碳化硅(SiC)材料是一种新型宽禁带半导体材料.本文对SiC MOSFET这一种新型器件的并联均流情况进行了研究,其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试,并利用此平台随机选取了两块SiCMOSFET分别在静态和动态情况下观察了其均流 ...碳化硅MOSFET并联均流的研究 - 百度学术
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2024年6月21日 巴威配土耳其胡努特鲁碳化硅均流装置 武乡项目燃烧器碳化硅点火器 东锅配东兴燃烧器碳化硅流化床风帽 1 2 3 下一页 末页 上春仪定制中心 燃烧器配件 燃烧器碳化硅喷嘴 燃烧器碳化硅喷嘴体 燃烧器碳化硅浓缩器 燃烧器碳化硅稳焰齿扩锥 燃烧器碳化硅 ...利用上面所述搭建的平台，对SiC MOSFET进行了并俩均流测试，包括静态均流和动态均流。同时为了说明碳化硅MOSFET的均流问题，本次研究还对同等级Si的IGBT进行了测试。碳化硅MOSFET并联均流的研究 - 百度文库
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2024年6月21日 碳化硅硬度仅次于金刚石和碳化硼，碳化硅耐磨件耐磨系性＜4.5cm³（GB18301-2012），使用寿命是传统铸钢件的3倍-5倍。 铸钢件高温情况下易变形，耐磨性下降，易磨损，易腐蚀，使用寿命短。2022年9月22日 3、并联动态均流仿真 SiC MOSFET并联的动态均流与IGBT类似，只是SiC MOSFET开关速度更快，对一些并联参数会更为敏感。如图2所示，我们先分析下桥Q11和Q12在双脉冲开关过程中的动态均流 SiC MOSFET单管的并联均流特性 - 亿伟世科技
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2024年6月21日 3、并联动态均流仿真 SiC MOSFET并联的动态均流与 IGBT 类似，只是SiC MOSFET开关速度更快，对一些并联参数会更为敏感。如图2所示，我们先分析下桥Q11和Q12在双脉冲开关过程中的动态均流特性及其影响因素： 图2.下桥SiC双管并联的双脉 热导率高，均温性好，传热散热快，热响应速度快（加热和冷却速度） 高温抗氧化性好 高温不变形，平面度佳 耐磨性好，不会产生粉尘污染物 规格型号 CORESIC ® SP碳化硅加热板可根据客户要求定制。碳化硅均热板-江苏三责新材料科技股份有限公司 - Sanzer
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2024年6月21日 碳化硅流化床内衬筒行业规模 1. 碳化硅流化床内衬筒市场规模 (结论图) P3 2. 碳化硅流化床内衬筒市场规模 P4 3. 多晶硅产量 P5 4. 颗粒硅市场占比 P6 5. 颗粒硅产量 P7 6. 单个流化床筒体产能 P8 7. 流化床需求量 P9 8. 碳化硅渗透率 P10 9. 单个流化床碳化硅筒2022年12月30日 1.本发明涉及特种陶瓷制备技术领域，具体而言，涉及一种用于流化床反应器的高纯碳化硅内衬的制备方法。背景技术： 2.硅烷流化床法制备高纯度颗粒硅可实现高度自动化，生产效率高，耗能低，综合生产成本是传统方法的三分之一，是未来光伏和半导体工业用粒状硅料的发展方向。一种用于流化床反应器的高纯碳化硅内衬的制备方法与流程
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2021年11月7日 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于 5G 通信、国防军工、新2024年3月29日 同时，配套研制的国产灭磁电阻在线监测装置，能够从电压、电流、能容、温度、均流系数、非线性系数等多维度对灭磁电阻进行监测，有效提高对灭磁电阻的故障预测能力。 国产碳化硅 灭磁电阻研制、测试及真机试验的成功，将改变目前大型 ...【成果快讯】原载于《科技日报》 国产碳化硅灭磁电阻完成 ...
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2018年4月18日 【优品论文】---碳化硅mosfet并联均流的研究.doc,碳化硅MOSFET并联均流的研究 摘要：碳化硅材料是一种新型宽禁带半导体材料。 ... 光伏并网发电模拟装置图文.doc 医疗机构校验专业申请书.doc 动物性食品允许使用但无需制定残留限量的药 物.doc 配送 ...[0022]如图4‑5所示，一种用于发电机灭磁的自动均流型氧化锌电阻装置，其包括：多个均流支路10，多个所述均流支路10并联后电连接在发电机转子绕组两端，所述均流支路10包括高能氧化锌电阻组件11以及碳化硅电阻阀片12，所述高能氧化锌电阻组件11和所述一种用于发电机灭磁的自动均流型氧化锌电阻装置 - 企查查
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2023年7月22日 .本发明属于碳化硅材料制备技术领域，具体涉及一种用于流化床的高纯碳化硅内衬的制备方法及装置。背景技术.碳化硅具有很好的耐高温、耐腐蚀性能，其强度高，由于碳化硅材料的化学特性，其成型困难，所以通常会采用反应烧结的方法来制备。反应烧结的方法包括粉料制备、坯块压制、烘干和 ...150×300气化装置 碳化硅板厂家为气力输送系统中贮仓料斗的辅助装置，接通经过预热的空气后可使粉状物料流态化、增加物料的流动性。它主要用于电除尘器灰斗、各种粉、粒料贮仓料斗、灰库库底。气化板为中间料仓、灰斗、平底料库、锥底料库的辅助件，经过预热的空气后该装置，在一定的压力 ...QHB150×300气化装置 碳化硅板厂家【透气性强 厂家现货 ...
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2024年6月21日 耐磨碳化硅管件厂家苏州上春仪监测程控设备制造有限公司专注为火力发电厂、大型电站锅炉制造企业、工业锅炉制造企业、石油化工等行业提供碳化硅弯头,碳化硅三通,碳化硅耐磨管件定制。摘要： 本发明公开一种用于管道内使用的均流装置,属于管道设备技术领域,均流装置包括,第一管体,内部同轴连接第二管体,第二管体内的进水端设置第一均流组件,出水端设置第二均流组件.第一管体两端内壁上设有第一连接板,第二管体两端设有与第一连接板位置对应的第二连接板,第一连接板与第二 ...用于管道内使用的均流装置 - 百度学术
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2011年5月18日 公开了一种碳化硅非线性电阻灭磁过程中在线监测的装置，包括VAD电压电流开关量测量单元、温度测量单元和工控计算机；VAD测量单元和温度测量单元均包括电源板、通道板、采集板，采集板上的DSP通过通讯总线连接到工控计算机。2023年5月5日 4.根据权利要求3所述的碳化硅水平外延炉用的气流转换装置，其特征在于：所述导气孔组件包括开设在所述导流器本体(3)内的主导气孔(6)；若干所述主导气孔(6)均与所述中心通孔(5)连通；所述主导气孔(6)上连通有辅助导气孔(7)；若干所述主导气孔(6)和若干 一种碳化硅水平外延炉用的气流转换装置
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2015年8月26日 碳化硅MOSFET并联均流的研究王珩宇1，吴新科1，郭清1，盛况1（1浙江大学电气工程学院，杭州31007）摘要碳化硅（SiC）材料是一种新型宽禁带半导体材料。本文对SiCMOSFET这一种新型器件的并联均流情况进行了研究，其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试，并利用此平台随机选取了两块 ...摘要： 近年来,硅基功率半导体器件受材料特性的限制难以满足电力电子装备的更高需求.以碳化硅为代表的宽禁带功率半导体器件凭借其优异的性能,逐步应用于高频,高温和大功率电力电子领域.由于商业化量产碳化硅MOSFET芯片电流等级较低,采用多个分立器件并联或多芯片并联功率模块是解决更大 ...碳化硅MOSFET并联不均衡电流分析及调控方法 - 百度学术
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2021年11月24日 分类号：TN386单位代码：10058硕士学位论文论文题目：碳化硅MOSFET并联主动均流的研究学科专业：电气工程作者姓名：张永刚指导教师：宁平凡企业导师：孙连根完成日期：01年月日万方数据2022年12月28日 图6.加源极抑制电感和电阻之前(虚线)和加之后(实线)的均流特性变化 图7.不同源极抑制电感和电阻(1Ω虚线)和(3Ω实线)的均流特性变化 4、总结 基于以上TO247-4pin的SiC MOSFET两并联的仿真条件与结果，我们可以得到如下一些初步的结论(TO-247-3pin由于源极回路相对复杂，且看下期 “仿真看世界” 详细分解)：仿真看世界之SiC MOSFET单管的并联均流特性 - 知乎
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