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2016年9月22日 有研究表明在改善颗粒增强金属基材料的塑形和韧性的途径与机理中，尖锐化的碳化硅粉体颗粒导致陶瓷材料内的应变集中和颗粒尖端断裂的可能性加剧，钝化后的球形碳化硅颗粒对陶瓷基复合材料的高温力学性能有很大的提高。随着粉体工 程的日益增长和不断进步，碳化硅粉体的形状根据各种陶瓷材料的应用进 行了细致划分，得到特定的形貌。 有研究表明在改善颗粒增强金属基材料 的塑形和韧性的途径 【精品文章】浅谈碳化硅粉体整形工艺_百度文库
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2012年4月27日 本文采用轮碾机、振捣整形机、罐磨机和砂磨机对各粒径碳化硅粉体颗粒进行整形，通过显微镜观察颗粒整形前后的表观形貌和测量整形前后的振实密度，确定各 2023年1月6日 碳化硅微粉常见形貌之一. 国内现阶段的磨料微粉的超细制备，主要是材料的超细粉碎和分级，很多微粉在颗粒细度、粒度分布上可达到国外产品的水平，但在颗粒 碳化硅、金刚石等磨料微粉通常如何进行颗粒整形？ - 技术 ...
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2024年2月28日 SiC粉料对长晶的影响. 1.粉料粒度. PVT法生长SiC单晶主要通过改变气相组分中Si和C的摩尔比来实现，而气相组分中的硅碳摩尔比与SiC粉料的粒度有关 。 生长系 1.1 碳化硅粉末的制备方法. 碳化硅的合成： 选择石油焦、无烟煤、木炭等碳原料和石英砂、硅石等硅原料，通过高温烧结得到碳化硅。. 碳化硅的具体生产工艺包括. 加工和粉碎： 碳化硅粉末的生产和应用
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2020年11月30日 针对用于单晶生长的高纯碳化硅粉料的合成方法与合成工艺的研究现状，中国电子科技集团公司第二研究所的研究人员曾进行了专门的评述与总结。 高纯SiC 2020年3月31日 碳化硅是以共介健为主的共价化合物，由于碳与硅两元素在形成SiC晶体时，SiC原子中S→P电子的迁移导致能量稳定的SP3杂化排列，从而形成具有金刚石结构的SiC。什么是碳化硅粉末—碳化硅粉末标准及应用 - Silicon
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2021年2月25日 碳化硅，为什么要把“表面工作”做好？. [导读] 通过表面改性，可以改善SiC粉体的分散性、流动性、消除团聚、提高碳化硅超细粉体成型性能以及制品最终性能 2024年3月6日 在SiC单晶生长的高温环境中合成与分解两个过程同时进行，碳化硅粉料会发生分解形成Si、Si2C、SiC2等气相及固相的碳，导致多晶粉料的碳化比较严重，形成晶 碳化硅单晶生长第一步，要纯!_合成_过程_杂质
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2015年2月4日 由素坯密度所决定，提高重结晶碳化硅性能的关键是提高成型坯体的密度。 本文采用轮碾机、振捣整形机、罐磨机和砂磨机对各粒径碳化硅粉体颗粒 进行整形，通过显微镜观察颗粒整形前后的表观形貌和测量整形前后的振实密2020年11月13日 围绕碳化硅微粉的整形，2020年10月28日，在由中国粉体网主办的“第三届新型陶瓷技术与产业高峰论坛”召开期间，我们邀请到专注碳化硅微粉近二十年之久的潍坊凯华碳化硅微粉有限公司的辛国栋总经理做客“对话”栏目，进行视频访谈。国产碳化硅微粉的弱项正是凯华努力的方向 ——访潍坊凯华 ...
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纯度高达99.9995% 颗粒度均匀 成本和质量领先 以高纯碳粉、高纯硅粉为原料通过高温固相反应合成碳化硅块体，通过破碎、拆分、清洗等步骤，获得一定颗粒度的高纯导电型碳化硅粉料，粉料纯度大于99.9995%。那么机械球磨整形后碳化硅粉体制备的碳化硅多孔陶瓷，在污水处理过程中，不仅不易造成滤孔的堵塞，而且过滤截留目的性更强。而碳化硅粉体的粒径先减小后缓慢增大，即碳化硅粉体团聚程度加重，出现了球磨极限，确定碳化硅粉机械整形的最佳球磨时间为40碳化硅粉的球磨整形研究 - 百度文库
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碳化硅的合成： 选择石油焦、无烟煤、木炭等碳原料和石英砂、硅石等硅原料，通过高温烧结得到碳化硅。 碳化硅的具体生产工艺包括 加工和粉碎： 合成后的碳化硅通常呈块状。 必须使用破碎机将其破碎成不超过 5 毫米的颗粒。然后，使用成型机将其成型为不超过 2 毫米的颗粒，其中椭圆形颗粒 ...2024年3月6日 中国粉体网讯 近年来，制备高纯SiC粉料逐渐成为SiC单晶生长领域的研究热点。 生长SiC单晶用的SiC粉体纯度要求很高，杂质含量应至少低于0.001%，此外，碳化硅粉料的各项参数都直接影响单晶生长的质量以及电学性能。碳化硅单晶生长第一步，要纯!_合成_过程_杂质
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2010年11月4日 宁丽娜等：硅粉形貌对人工合成高纯碳化硅粉料的影响硅粉形貌对人工合成高纯碳化硅粉料的影响宁丽娜，胡小波，王英民，王山东大学晶体材料国家重点实验室，山东济南50ioo翎，李娟，彭燕，高玉强，徐现刚摘度SiC粉料。实验发现，不同的硅粉形状、粒度以及合成温度、时间都对合成产物的形貌 ...2010年11月3日 碳化硅粉体的整形 及其挤出成型 姓名：****br>申请学位级别：硕士 专业：材料学 指导教师：**德 ... 目前为满足工程上的应用，除了对陶瓷粉料 进行粉碎和分级，也根据不同 使用目的对粉体颗粒形貌提出不同的要求。如抛光用微粉要求颗粒为近 ...碳化硅粉体的整形及其挤出成型 - 豆丁网
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2023年9月27日 作者：慧博智能投研碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关公司深度梳理近年来，随着5G、 新能源 等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长，硅基半导体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显，如何在提升功率的同时限制体积、发热和成本的快速膨胀成为了半导体产业内重点关...2022年9月21日 一种低成本可量产的高纯碳化硅粉料的制备装置和制备方法，制备装置制备得到的碳化硅粉料粒径均一，纯度高，并且可以提高产品的产量。可量产的高纯碳化硅粉料的制备装置，包括：坩埚，坩埚内部的 碳化硅粉 - 知乎
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2024年7月10日 2、碳化硅粉料作为碳化硅晶体的原料，碳化硅粉料的质量直接影响碳化硅晶体的生长质量和电学性质。 在碳化硅粉料的合成过程中，碳粉和硅粉的混合原料放置在合成装置中加热，合成装置中的混合原料受热不均，且混合原料的中心容易聚焦成团，难以破碎，从而阻碍碳化硅粉料的合成。2015年5月24日 利用 ! 傅利叶变换红外光谱仪分析氧化前后粉料表面状态的变化；利用化学分析的方法测氧化后的碳化硅微粉的氧含量；利用美国" # $ %公司生产的 ’!(电位仪，测—)—周龙捷等：氧含量对碳化硅粉料的等电点和分散性的影响男， )年7对碳化硅粉料的等电点和分散性的影响 - 豆丁网
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2023年5月19日 天科合达发明了一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法及碳化硅单晶，制备方法包括以下步骤：将高纯硅粉、高纯石墨粉与易挥发高纯有机物混合，在惰性气氛下待易挥发高纯有机物挥发至初始质量的10％以下，将混合物料烧结，得到低氮含量碳化硅粉料。2020年8月21日 气相法合成的碳化硅粉体纯度较高，颗粒尺寸小，是目前合成高纯碳化硅粉体常见的方法，然而这种合成方法成本高且产量较低，不适合批量化的生产。 2.碳化硅粉体合成设备 碳化硅粉体合成设备用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉体，高质量的碳化硅粉 高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望_化学
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2023年5月14日 二、研究目的本研究的目的是探究碳化硅粉体整形工艺中的关键技术和方法，优化整形工艺，提高粉体整形的效率和质量，为碳化硅制品的制备提供技术支持。三、研究内容（1）对碳化硅粉体整形的原理和机制进行深入研究，分析影响整形效果的关键因素。2024年1月26日 半导体碳化硅 (SiC)是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 Si-C 四面体。而碳化硅(SiC)晶体，就是由碳原子和硅原子有序排列而成。选择碳原子（硅也可以）形成最紧密 ...碳化硅 (SiC)半导体结构及生长技术的详解 - 九域半导体科技 ...
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2024年3月24日 获取碳化硅合成料块；以及将所述碳化硅合成料 块进行破料、筛分，获取碳化硅粉料。本发明提供 的一种碳化硅粉料的合成方法，能有效提高碳化 硅晶体的质量。 A 9 8 6 0 9 9 4 1 1 N C CN114990689A权利要求书1/1页 1.一种碳化硅粉料的合成方法，其特征2014年8月15日 进行整形，通过显微镜观察颗粒整形前后的表观形貌和测量整形前后的振实密 度，确定各整形方法的效果和适合整形的碳化硅粉体粒径，并建立料饼厚度、整形时间、进料粒径、转速等和振实密度的关系等，确定最佳整形工艺。对比碳化硅粉体的整形及其挤出成型 - 豆丁网
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2024年4月16日 本专利由通化宏信研磨材有限责任公司申请，2024-05-17公开，本发明提供一种碳化硅粉料生产用烘干装置及烘干方法，涉及碳化硅粉料生产技术领域，包括：支撑组件；所述提升组件安装在支撑组件的顶部；所述脱水筛分组件安装在支撑组件的顶部，且脱水筛分组件...专利查询、专利下载就上专利顾如2014年9月16日 温度对碳化硅粉料合成的影响田牧，徐伟，王英民，侯晓蕊，毛开礼（中国电子科技集团公司第二研究所，山西太原030024）摘要：采用高温合成方法生成了高纯碳化硅（SiC）粉。采用高纯碳(C)粉和硅(Si)粉直接反应，不需外加添加剂，通过控制外部加热使Si和C持续反应。实验结果表明，在..温度对碳化硅粉料合成的影响 - 豆丁网
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2020年11月30日 碳化硅单晶是制作高频、大功率电子器件的理想材料。针对用于单晶生长的高纯碳化硅粉料的 合成方法与合成工艺的研究现状，中国电子科技集团公司第二研究所的研究人员曾进行了专门的评述与总结。高纯SiC粉料合成方法 目前，用于生长单晶 ...2022年4月24日 摘要：碳化硅陶瓷材料具有良好的耐磨性、导热性、抗氧化性及优异的高温力学性能，被广泛应用于能源环保、化工机械、半导体、国防军工等领域。然而，由于碳化硅为强共价键化合物，且具有低的扩散 国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先
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温度对碳化硅粉料合成的影响-采用高温合成方法生成了高纯碳化硅(SiC)粉。采用高纯碳(C)粉和硅(Si)粉直接反应,不需外加添加剂,通过控制外部加热使Si和C持续反应。实验结果表明,在相同反应时间条件下,不同加热温度对生成的SiC粉料的粒度和纯度有很大影响。2014年3月26日 碳化硅生产过程中产生的问题： 1.施工期的环境影响及预防或者减轻不良环境影响的对策和措施的要点: ①扬尘，土石方施工、建筑材料的运输和堆存会产生扬尘，对周围环境空气产生影响;②施工机械排放的尾气;③噪声，施工车辆、建筑机械运行和施工材料的碰撞产生噪声，影响声环境质量;④建筑 ...碳化硅生产工艺中主要产生哪些污染物?如何防治污染?常见 ...
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2024年4月18日 一种碳化硅粉料合成装置.pdf,本实用新型实施例提供了一种碳化硅粉料合成装置，涉及碳化硅粉料合成技术领域。碳化硅粉料合成装置包括腔体、隔热件、坩埚及加热件。腔体包括相对的第一端及第二端，隔热件的外周壁与腔体的内侧壁连接，隔热件具有贯穿孔，坩埚设置于腔体内且用于放置原料 ...碳化硅单晶生长第一步，要纯! 2024/02/28 点击 4216 次 中国粉体网讯 近年来，制备高纯SiC粉料逐渐成为SiC单晶生长领域的研究热点。生长SiC单晶用的SiC粉体纯度要求很高，杂质含量应至少低于0.001%，此外，碳化硅粉料的各项参数都直接影响 ...碳化硅单晶生长第一步，要纯!_中国纳米行业门户
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2018年12月7日 本发明制备出的大粒径SiC粉料 弥补了现有技术合成的SiC粉料粒径偏小的不 足，该方法和装置简单、易于推广、适合大规模工 业生产。 发明内容 [0004] 本发明的目的是提供一种碳化硅晶体生长用大粒径碳化硅（SiC）粉料的合成方 法。2014年6月6日 提高原料粉末的纯度，合成的碳化硅粉料的纯 度也会进一步提高。本实验采用高纯碳粉和硅粉来 提高碳化硅粉料的纯度。 使用高纯的硅粉和碳粉，其表面积较大，混合 就会较充分。但是因碳粉和硅粉的密度不同，如何 使混合更加均匀是必须要解决的一个重要温度对碳化硅粉料合成的影响_田牧 - 豆丁网
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得到的三次碳化硅粉料还需经湿法化学冶金处理工艺处理。最终得到高纯碳化硅粉料。CN102674357A公开了利用高纯C粉与Si粉先经过预处理工序，然后通过高温合成工序合成高纯碳化硅粉料的方法。 以上所述现有方法中均为高纯碳材料和高纯Si粉混合，且在 ...
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